Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11147/13142
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorTarı, Süleyman-
dc.contributor.authorÖzyüzer, Lütfi-
dc.contributor.authorSelamet, Yusuf-
dc.contributor.authorVahaplar, Kadir-
dc.contributor.authorTokuç, Hüseyin-
dc.contributor.authorAlagöz, Serhat Hüseyin-
dc.date.accessioned2023-02-05T13:29:01Z-
dc.date.available2023-02-05T13:29:01Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11147/13142-
dc.description.abstractElektronun spin özelliğini kullanarak yeni elektronik aygıtların yapılması son zamanlarda çok yoğun araştırma konusu olmuştur. Bu aygıtlara spinin kontrol edilmesinden dolayı spintronik aygıtlar denmektedir. İki ferromanyetik katman arasına konulan bir yalıtkan bariyerden oluşan yapıya manyetik tünel eklemi denir. Elektronun bu katmanlardan yüzeye dik olarak geçisi quantum mekaniksel tünelleme olayı sayesindedir. Manyetik alan altında göstereceği direnç ferromanyetik katmanların birbirlerine göre manyetik yönelimlerine bağlıdır. Bu dirence tünel manyetik direnç (TMR) denir ve yüksek TMR değeri elde edilmesi spintronik aygıtların daha küçük ve yoğun yapılabilmesine yol açar. Bununla birlikte hızlı bilgi iletimi için FM/Y ara yüzeyinde direnç-alan çarpımının (RA) küçültülerek (~1Ω(μm)2 ) yüksek sinyal-gürültü oranı elde eldilmesi gerekmektedir. Bunun için iki yöntem kullanılmaktadır: yalıtkan filmin kalınlığını inceltmek (~1nm) veya arayüzeyde oluşan bariyer yüksekliğini küçültmek. İkinci yöntemde, küçük bant aralığına sahip yalıtkanların kullanılması gerekir. Yalıtkan olarak Ta2O5 kullanılması yenidir. Ta2O5 bant aralığı ~3.5eV’ tur ve FM/Ta2O5 arayüzeyinde ~ 0.4 eV bariyer yüksekliği verir. Bu projede Farklı FM katmanlar ve bariyerler kullanılarak MTJ’ ler büyütülmüşlerdir. Öncelikle Ta2O5 olmak üzere Al2O3, MgO bariyer olarak kulanılmıştır. MTJ’ ler iki farklı yöntem ile elde edilmiş ve manyetik direnç ölçümleri yapılmıştır. Spin kutuplanmış elektronların geçişini kontrol eden ve FM katmanlarının yönelimlerinin değiştirilmesi için gerekli olan farklı Hc değerlerine sahip FM filmler kullanılmıştır. Sürekli olarak büyütülen filmlerin yapısal, ve manyetik özellikleri çalışılmıştır. Elektriksel ölçümlerden oluşturulan bazı MTJ yapılarda, %3.5 dolayında TMR değeri bulunmuştur. Fotoelektron spektroskopisi analizlerinden ferromanyetik katmanların oksitlendiği görülmüş, ayrıca manyetik analizlerden ferromanyetik/(yalıtkan, metal) arayüzeylerde manyetik ölü katmanların varlığı tespit edilmiştir.tr
dc.language.isotren_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.titleMagnetron sputtering yöntemiyle büyütülen manyetik tünel eklemleri' nin yapısal, elektronik ve manyetik özelliklerinin incelenmesitr
dc.typeProjecten_US
dc.departmentİzmir Institute of Technology. Physicsen_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.endpage72en_US
dc.relation.publicationcategoryDiğertr
dc.identifier.trdizinid609042en_US
item.fulltextWith Fulltext-
item.grantfulltextopen-
item.openairetypeProject-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.languageiso639-1tr-
item.cerifentitytypePublications-
crisitem.author.dept04.05. Department of Pyhsics-
crisitem.author.dept04.05. Department of Pyhsics-
crisitem.author.dept04.05. Department of Pyhsics-
Appears in Collections:Physics / Fizik
TR Dizin İndeksli Yayınlar / TR Dizin Indexed Publications Collection
Files in This Item:
File SizeFormat 
document.pdf2.2 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record



CORE Recommender

Page view(s)

72
checked on Apr 29, 2024

Download(s)

14
checked on Apr 29, 2024

Google ScholarTM

Check





Items in GCRIS Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.