Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11147/11038
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorÖzyüzer, Lütfi-
dc.contributor.authorAta, Bengüen_US
dc.date.accessioned2021-08-05T11:30:54Z-
dc.date.available2021-08-05T11:30:54Z-
dc.date.issued2020-12en_US
dc.identifier.citationAta, B. (2020). The growth of vanadium dioxide thin films by magnetron sputtering technique and terahertz wave modulation characteristics. Unpublished master's thesis, İzmir Institute of Technology, İzmir, Turkey-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11147/11038-
dc.descriptionThesis (Master)--Izmir Institute of Technology, Physics, Izmir, 2020en_US
dc.descriptionIncludes bibliographical references (leaves: 46-52)-
dc.descriptionText in English; Abstract: Turkish and English-
dc.description.abstractVanadium dioxide (VO2) is a fascinating material thanks to its unique insulator-metal transition (IMT) at 68 °C which is very close to the room temperature. This reversible change in electrical resistivity is around several orders of magnitude and the electrical change accompanied by optical and structural change as well. Thanks to these unique properties vanadium dioxide material has been studied intensively past decades. This phase transition allows us to apply the transition properties widen application such as field effect transistor (FET), uncooled bolometers, tunable metamaterial filters, high data rate wireless communication etc. Especially for terahertz region which is the most unexplored region of the electromagnetic spectrum, vanadium dioxide is a promising material having ability to modulate terahertz waves by IMT phenomena. In this work, vanadium dioxide (VO2) thin films fabricated by reactive DC magnetron sputtering method and its properties optimized to minimize the amounts of secondary phases by optimizing the oxygen concentration, sputtering power and deposition time. Samples which show the maximum resistivity change during the transition have been used for the terahertz modulation experiments. It has been observed that when the VO2 samples triggered by continuous wave (CW) laser, VO2 transforms to the metallic phase, behave as an opaque material to the terahertz wave. At room temperature, in insulating phase it is partially transparent to terahertz radiation. This results indicate that VO2 thin films can be a good candidate for THz wave modulators.en_US
dc.description.abstractVanadyum dioksit (VO2) oda sıcaklığına cok yakın gerçekleşen (68 °C) yalıtkan-metal geçiş özelliğiyle benzersiz bir malzemedir. Elektriksel direncindeki değişim 10^5 mertebesinde olmaktadır ve bu değişime optiksel ve yapısal değişim eşlik etmektedir. Bu benzersiz geçiş özellikleri sayesinde VO2 son yıllarda yoğun olarak çalışılmıştır. Bu faz geçişi, vanadium dioksiti alan etkili transistörler (FET), soğutulmamış bolometreler, ayarlanabilir terahertz filtreleri, yüksek veri hızlı kablosuz haberleşme gibi çeşitli alanlarda uygulama imkanı sunar. Özellikle elektromanyetik spektrumun en keşfedilmemiş bölgesi olan terahertz bölgesi için vanadium dioksit, terahertz dalgalarını elektriksel geçiş özelliği sayesinde module etme kabiliyetine sahip umut verici bir malzemedir. Bu çalışmada, vanadium dioksit (VO2) ince filmleri reaktif DC mıknatıssal saçtırma methodu ile büyütülmüştür ve ikincil fazları minimize etmek için saçtırma gücü, oksijen konsantrasyonu ve büyütme süresi optimize edilmiştir. Yalıtkan- metal geçişi sırasında maksimum direnç değişimi gösteren numuneler terahertz dalgaları modülasyon deneyleri için kullanılmıştır. Sürekli dalga lazeri ile tetiklenerek metalik faza geçmiş numunelerin terahertz dalgalarına karşı opak malzeme gibi davrandığı, oda sıcaklığında yalıtkan fazda olduğunda ise terahertz dalgalarını geçirdiği gözlemlenmiştir. Bu sonuçlar, VO2 ince filmlerin terahertz dalga modülatörleri olarak kullanılabileceğini göstermiştir.en_US
dc.format.extentx, 52 : leaves-
dc.language.isoenen_US
dc.publisher01. Izmir Institute of Technologyen_US
dc.relationFrekansı Ayarlanabilir THz Modulasyonu İçin VO2 Tabanlı Dijital Metayüzeyleren_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectThin filmsen_US
dc.subjectTerahertz (THz) wavesen_US
dc.subjectMagnetron sputteringen_US
dc.subjectVanadium dioxideen_US
dc.titleThe growth of vanadium dioxide thin films by magnetron sputtering technique and terahertz wave modulation characteristicsen_US
dc.title.alternativeMıknatıssal saçtırma yöntemi ile vanadyum dioksit ince film büyütülmesi ve terahertz dalga modülasyon karakteristiklerien_US
dc.typeMaster Thesisen_US
dc.authorid0000-0002-3981-6192en_US
dc.departmentThesis (Master)--İzmir Institute of Technology, Physicsen_US
dc.contributor.affiliation01. Izmir Institute of Technologyen_US
dc.relation.grantno119R038en_US
item.cerifentitytypePublications-
item.fulltextWith Fulltext-
item.grantfulltextopen-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.languageiso639-1en-
item.openairetypeMaster Thesis-
crisitem.author.dept01. Izmir Institute of Technology-
Appears in Collections:Master Degree / Yüksek Lisans Tezleri
Files in This Item:
File Description SizeFormat 
10168865.pdfMasterThesis3.84 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record



CORE Recommender

Page view(s)

286
checked on Jun 10, 2024

Download(s)

508
checked on Jun 10, 2024

Google ScholarTM

Check





Items in GCRIS Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.